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东莞市深盛塑料制品有限公司
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维护和保养
1、真空镀膜设备每完成200个镀膜程序以上，应清洁工作室一次。方法是：用烧jian（NaOH）饱和溶液反复擦洗真空室内壁，（ 注意人体皮肤不可以直接接触烧jian溶液，以免灼伤）目的是使镀上去的膜料铝（AL）与NaOH发生反应，反应后膜层脱落，并释放出氢气。再用清水清洗真空室和用布沾汽you清洗精抽阀内的污垢。
擦洗真空室内壁，（ 注意人体皮肤不可以直接接触烧jian溶液，以免灼伤）目的是使镀上去的膜料铝（AL）与NaOH发生反应，反应后膜层脱落，并释放出氢气。再用清水清洗真空室和用布沾汽you清洗精抽阀内的污垢。
2、当粗抽泵（滑阀泵，旋片泵）连续工作一个月（雨季减半），需更换新油。方法是：拧开放油螺栓，放掉旧油，再将泵启动数秒，使泵内的旧油完全排放出来。拧回放油螺栓，加入新油至额定量（油视镜观察）。连续使用半年以上，换油时应将油盖打开，用布擦干净箱内污垢。
3、扩散泵连续使用6个月以上，抽速明显变慢，凤岗专业玻璃真空电镀厂，或操作失当，充入大气，拆去联结水管，卸下电炉盘，凤岗玻璃真空电镀加工价格，将一级喷嘴拧出，先用汽you将泵腔及泵胆清洗一遍，再用洗衣粉兑水清洗一遍，然后用清水彻底清洗干净，待水份挥发干以后，装好泵胆，加入新扩散泵油，并装回机体，接好水管，装好电炉盘，便可以重新开机。在重新开机前，要注意检漏工作。方法是：启动维持泵，关好大门，数分钟后，观察扩散泵部分真空度是否达到6X10帕，否则要进行检漏。检查联接处是否装密封胶圈，或压坏密封圈。排除漏气隐患后方可加热，否则扩散泵油会烧环，无法进入工作状态。
稳态与介稳沉积
1稳态沉积
实现稳态沉积，可以控制恒定电价，也可以控制恒定电流。恒电位有利于针对较化和析出电位来监控，以便在一定的沉积电位下控制沉积的离子品种、合金成分、电 流效率等，并可以省去随着生产情况变化而调控电流。但是这种操作须用参比电极构成三电极系统，对于大的设备特别是电流分布复杂时生产实践不易。恒电流操作 控制相对比较容易，所以在生产上大多采用控制电流的方法。
通常习惯按照镀液的要求，选定适宜的电流密度及可容许的偏差范围，给足所需的电流密度并使之保持稳定。当采用常规的恒稳直流时，这种操作也比较方便。恒定的电流易于直接与法拉*沉积量相联系。但是在这种情况下，镀液的状态对于沉积速度和质量而言便会是*yi位的。
通常采用的镀液多为单盐或加入络合剂来组成。常用的单盐有硫酸盐、氯化物、氟硼酸盐等，少数情况也采用氨基磺suan、乙suan、柠檬酸等复杂一些的酸盐。许多单盐倾向于在一级电离中便离解为所需的金属离子，并以水化形式存在于溶液内。
络合型的镀液通常是加入经选择的络合剂或鳌合剂。例如：qin化物、氨或强碱、焦磷酸盐、氨三乙suan’(等，一些**物也常被采用。这些镀液往往要经二级电离来提供所需的金属离子，因而放电过程的单盐复杂。但是其较化特性和宏观分散能力一般比单盐要好。
这两类镀液维持稳定沉积的机制并不相同。用简单盐类的镀液常依靠游离的酸碱来调节离子的活度，或利用同离子效应。)*值的监控对这种镀液也很重要，为此常 须加入缓冲剂。导电剂也是常有的组分，并常有同离子效应的双重作用。络合型或加鳌合剂的镀液须监控其反应后的富裕量，即游离的络合剂浓度以保持反应物的稳 定和维持络合平衡，因而操作控制要复杂一些。单盐的溶液有时也采用复盐，而络合型的镀液也可能存在两种或更多的络合物。
当保持电镀溶液在恒定的温度、不加搅拌并且给定恰当的电流密度时，如无其他附加因素或场强的影响，电镀过程可以处于相对的定态。实际上镀层的质量和沉积的速度取决于电镀溶液和工艺参数的稳定。不适当的扰动将损害电镀质量。
各种添加剂包括促进细晶、改善分散能力、实现整平提高平整度以及使镀层光亮等目前品种甚多，**性较强并目效果视情况而异。许多具体的产品业已商品化。这 些添加剂大多是依靠在电极界面上的吸附来起作用，因而往往是复杂结构的**物，有时是数种物质混配。这些添加剂大体上是通过试验来寻觅，目前还没有统一可 行的理论指导来挑选。
添加剂有损耗性和无损耗性的两类，后者仅因镀件带出而消耗。电解常使**物在电极表面分解，因而添加剂应随电镀量的增加而补充。分解后的产物是否有害也要 考虑，否则在补充添加剂的同时要定期清理镀液。添加剂中有许多也带有表面活性，因此往往利用表面张力的测试来监控。!!!关系也是一种监控的方法。多数情 况下添加剂的消耗量要通过研发阶段及中间放大过程来总结。有时在生产中不进行测试而按镀槽的实际生产量即安培小时数来补充添加。许多商品添加剂因为希望成 分保密而建议采用这种添加方法以避免化验和监测。镀层质量对添加剂的品种和加入量很敏感，所以要慎重选择和监控，特别是不知道成分时，否则易出质量事故。 赫尔槽测试也很有用。
2.介稳沉积
电流密度的大小，在很大程度上决定电镀的速度，所以一般都希望能用较高的电流密度和宽广的电流密度容许范围，这样便能镀得较快，并且方便操作。宽广的电流 容许范围有利于大的和复杂形状的镀件取得厚度和结构较为均匀的镀层。与此同时，也希望有较高的电流效率和电流效率的稳定性，因为这不仅是镀速问题，也能减 少能耗。
实践上的电流密度并不等同于理论电流的极限，即在传质控制下使电极界面处的离子浓度降低到零。实际生产中要求的是能够在被镀零件上镀出好的镀层的较gao可用 的电流密度。在这里，工程需要是主要的考虑。所以，凤岗玻璃真空电镀工厂，在电镀生产实践中应用的电流密度，或者说一般意义上的极限电流密度要比理论值低很多。**这个实用的较 限一般只能用于暂时，例如镀铬时，短时提高起始电流以求获得较好的覆盖。
传统的提高可用电流密度的方法**搅拌。对电镀溶液的搅动，包括机械或空气搅拌、连续泵送、运动镀件等方法，有助于镀液内的传质，从而往往可以较大幅度地 提高可用的电流密度。但搅拌必须均匀，否则无法保证产品质量的均匀。同时搅拌也可以使溶液内的沉渣漂浮，易于导致镀层变坏。
为了*单纯的搅拌所带来的问题，同时也能在提高镀速的同时改善镀层结构和外观质量，上个世纪年代兴起了周期换向电流电镀的方法。通过短时的将镀件从阴极 转为阳极，便使镀层进入一个溶解过程。这种方法可以改善镀层结构，减少气孔，同时也有抛光作用而使镀层更为光滑细致。
通过电流的周期换向和变动以及各种不同搅拌的方法，可以看到，对于恒定电流的维持稳态的沉积时，如果利用不同场强来施加扰动，便有可能获得较好的效益。实际上可以施加到电镀过程的种种扰动，可以包括电场、力场、磁、热、声、光等各个方面。
镀膜的方法及分类主要分为一下几类：
蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。
蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2[ 分子束外延装置示意图]。喷射炉中装有分子束源，在**高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜较慢生长速度可控制在1单层／秒。通过控制挡板，可精que地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种**晶格结构薄膜。
溅射镀膜：用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，玻璃真空电镀，沉积在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。常用的二较溅射设备如图3[ 二较溅射示意图]。通常将欲沉积的材料制成板材——靶，固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上，距靶几厘米。系统抽**真空后充入 10-1帕的气体（通常为ya气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两较间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子，其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。与蒸发镀膜不同，溅射镀膜不受膜材熔点的限制，可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体 (O、N、HS、CH等)加入Ar气中，反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉积在基片上。沉积绝缘膜可采用高频溅射法。基片装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地，一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率**正离子，绝缘靶表面带负电，在达到动态平衡时，靶处于负的偏置电位，从而使正离子对靶的溅射持续进行。采用磁控溅射可使沉积速率比非磁控溅射提高近一个数量级。
离子镀：蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。这种技术是D.麦托克斯于1963年提出的。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。一种离子镀系统如图4[离子镀系统示意图]，将基片台作为阴极，外壳作阳极，充入惰性气体（如ya）以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。正离子被基片台负电压加速打到基片表面。未电离的中性原子（约占蒸发料的95％）也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离化的蒸气分子的加速作用（离子能量约几百～几千电子伏）和ya离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度大大提高。离子镀工艺综合了蒸发（高沉积速率）与溅射（良好的膜层附着力）工艺的特点，并有很好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。